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引言電化學(xué)阻抗譜（EIS）是分析復(fù)雜電化學(xué)系統(tǒng)的強(qiáng)有力工具。您可以瀏覽技術(shù)報(bào)告BasicsofEIS，里面有對(duì)EIS的全面介紹。而那則技術(shù)報(bào)告中提及的大多數(shù)內(nèi)容，本文將不再贅述。本技術(shù)報(bào)告實(shí)際討論了EIS數(shù)據(jù)分析常見的方法，給大家甚至是初學(xué)者提供從EIS阻抗譜理解電解池中物理過程的基本方法。本文特意回避了與EIS數(shù)據(jù)分析相關(guān)的復(fù)雜數(shù)學(xué)計(jì)算。EIS基礎(chǔ)知識(shí)使用EIS時(shí)，您在一個(gè)廣泛的交流頻率范圍內(nèi)測(cè)試電解池的復(fù)阻抗。通常，系統(tǒng)的EIS阻抗譜由幾個(gè)電解池元件和電解池特征促成。一部...

旋轉(zhuǎn)環(huán)盤是電化學(xué)測(cè)量的重要工具之一，其結(jié)構(gòu)是在園盤的同一平面上放一個(gè)同心圓環(huán)，盤與環(huán)電極之間用絕緣材料隔離，盤電極通常用被研究的材料制成，環(huán)電極一般用鉑或金制成。為了達(dá)到優(yōu)良的電極性能，電極須在加工精度、傳動(dòng)裝置、測(cè)速系統(tǒng)、環(huán)電極與盤電極的幾何形狀、同心度、絕緣性能等方面均有著特殊的要求。主要用于電化學(xué)的流體動(dòng)力學(xué)研究，實(shí)際應(yīng)用主要在燃料電池、電鍍、金屬腐蝕等領(lǐng)域，也有純粹做動(dòng)態(tài)電化學(xué)技術(shù)研究的會(huì)應(yīng)用到。旋轉(zhuǎn)環(huán)盤的保養(yǎng)技巧：1.常有客戶詢問因?yàn)閷?shí)驗(yàn)室搬遷，圓環(huán)電極裝置移動(dòng)位置...

引言大頻率是電化學(xué)阻抗譜（EIS）測(cè)試儀器的一個(gè)重要參數(shù)。大多數(shù)EIS制造商在說明書中列出1MHz的大頻率。但是，一些制造商的技術(shù)參數(shù)虛報(bào)了真實(shí)的系統(tǒng)性能。很多EIS儀器被測(cè)量1MHz的阻抗時(shí)可以施加1MHz的信號(hào)，然后測(cè)量響應(yīng)—這樣做的時(shí)候會(huì)有巨大的誤差。該技術(shù)報(bào)告能幫助您快速評(píng)估任意EIS儀器的性能。您可以用它簡(jiǎn)單有效地比較不同的阻抗系統(tǒng)。在購買前一定記得要先測(cè)試！測(cè)試程序包括測(cè)量五種EIS阻抗譜。其中三種使用具有理想EIS響應(yīng)的電阻進(jìn)行記錄評(píng)估。另外兩種探測(cè)EIS系統(tǒng)的...

電化學(xué)阻抗譜（EIS）在電化學(xué)研究，開發(fā)和質(zhì)量控制領(lǐng)域無處不在。該技術(shù)將EIS測(cè)試得到的數(shù)據(jù)與電阻、電容、電感和其他理論元器件組成為的假設(shè)電路模型進(jìn)行比較。如果數(shù)據(jù)與電路匹配（數(shù)據(jù)與模型的“擬合”），則這一電路被視為這些數(shù)據(jù)的有效模型。有關(guān)EIS技術(shù)的背景知識(shí)，建議您首先閱讀我們的應(yīng)用報(bào)告“電化學(xué)阻抗譜原理”。有關(guān)對(duì)EIS數(shù)據(jù)建立模型的一般討論，請(qǐng)參考應(yīng)用報(bào)告“使用GamryEIS軟件建立等效電路模型”。但是，什么構(gòu)成了用為擬合模型的正確的電子元器件組成的電路？本應(yīng)用報(bào)告討論...

介紹引入常相位角元件（CPE）來代替EIS測(cè)試中的電容元件，大多數(shù)商業(yè)軟件（Gamry,Scribner,Solartron等）都可以擬合EIS數(shù)據(jù)。與使用純電容獲得的擬合結(jié)果相比，CPE獲得的結(jié)果要好得多。考慮到CPE定義了電化學(xué)EIS實(shí)驗(yàn)中表面的不均勻性以及固態(tài)EIS測(cè)試中電荷分布不均勻性，在真實(shí)體系中使用CPE能獲得更好的擬合是合理的。主要的問題是，在商業(yè)軟件中使用CPE擬合得到的電容沒有容量的單位，即Fcm-2或者Ω-1cm-2，而是Ω-1cm-2sa，其中a是CPE...

本指南目的本章為應(yīng)用指南的第三部分，主要闡述能量轉(zhuǎn)換裝置相關(guān)的電化學(xué)技術(shù)。本章主要討論的是電化學(xué)阻抗譜基礎(chǔ)（EIS）知識(shí)并且將通過在單電化學(xué)電容和堆棧上的測(cè)試介紹Gamry的電化學(xué)阻抗技術(shù)。簡(jiǎn)介本系列指南的第一部分將討論電容器理論基礎(chǔ)并且闡述集中用于研究電化學(xué)電容的幾種技術(shù)手段。第二部分主要解釋Gamry電化學(xué)能量PWR800軟件在能量轉(zhuǎn)換裝置循環(huán)測(cè)試上的使用。闡述了單電池和堆棧在循環(huán)過程中不同設(shè)置參數(shù)的影響。實(shí)驗(yàn)本指南中描述的幾種電化學(xué)阻抗譜技術(shù)（EIS）可以在Gamry技...

指南目的本章為應(yīng)用指南描述能量存儲(chǔ)裝置中電化學(xué)技術(shù)的第二部分。主要解釋GamryPWR800測(cè)試軟件以及介紹電化學(xué)電容的測(cè)試技術(shù)。本應(yīng)用指南同樣將延伸至電池測(cè)試領(lǐng)域。簡(jiǎn)介在第一部分中對(duì)電化學(xué)電容進(jìn)行了簡(jiǎn)單介紹。討論了一些在能量?jī)?chǔ)存應(yīng)用領(lǐng)域之外化學(xué)家們所熟悉的技術(shù)。第三部分將針對(duì)電容進(jìn)行電化學(xué)阻抗譜（EIS）測(cè)試的理論和實(shí)踐。淺色波形為施加在電容上的電流。深色波形顯示的是測(cè)試的電壓。電容在0到2.7V之間循環(huán)，保持電流為0.225A。實(shí)驗(yàn)循環(huán)充放電（CCD）是用于測(cè)試EDLCs...

本章目的本應(yīng)用指南是電化學(xué)技術(shù)應(yīng)用于測(cè)試電化學(xué)電容（ECs）的第一部分，測(cè)試中采用商業(yè)電化學(xué)電容，用于解釋和討論循環(huán)伏安和滲漏電流測(cè)試的理論背景。本章簡(jiǎn)介本應(yīng)用指南第二部分中討論的技術(shù)是電池工藝師所熟悉的。第三部分介紹了電化學(xué)阻抗譜EIS測(cè)試電容的理論以及應(yīng)用。與電池中的化學(xué)反應(yīng)不同，ECs一般通過高度可逆分離電子電荷來儲(chǔ)能。ECs由兩個(gè)浸入導(dǎo)電液體或聚合物電解質(zhì)的高比表面電極構(gòu)成。兩電極則通過離子傳導(dǎo)隔膜分開，防止電極間的短路。和電池相比，電化學(xué)電容具有以下優(yōu)勢(shì)：提供高功率...